半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015595
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】銅の拡散防止機能を有する窒化ホウ素を主成分とする材料を銅配線構造の絶縁膜として使用することにより、高速動作可能な半導体装置を提供することである。【解決手段】この発明の半導体装置の1つは、半導体基板1表面上に形成された凹部3を有する絶縁層20と、凹部3を充填するように形成された第1の銅の導電層5と、第1の銅の導電層5に連通する孔8を有する第2の絶縁層21と、第1の銅の導電層5に接するように孔8を充填する第2の銅の導電層10と、第2の絶縁層21に形成され、第2の銅の導電層10に連通する凹部12を有する第3の絶縁層22と、第2の銅の導電層10に接し、凹部12を充填するように形成された第3の銅の導電層13とを備え、前記絶縁層が、ホウ素および窒素を含有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面上に形成された第1の凹部を有する第1の絶縁層と、前記第1の凹部を充填するように形成された第1の銅の導電層と、この第1の銅の導電層に連通する孔を有する第2の絶縁層と、前記第1の銅の導電層に接するように前記孔を充填する第2の銅の導電層と、前記第2の絶縁層に形成され、前記第2の銅の導電層に連通する凹部を有する第3の絶縁層と、前記第2の銅の導電層に接し、前記第3の絶縁層に形成された凹部を充填するように形成された第3の銅の導電層とを備え、前記第1の絶縁層、第2の絶縁層および第3の絶縁層の少なくともいずれかが、ホウ素および窒素を含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/283 , H01L 21/312 , H01L 21/318

FI (7件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/283 C , H01L 21/312 A , H01L 21/312 N , H01L 21/318 B , H01L 21/90 J , H01L 21/90 V

Fターム (50件)：

4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104DD07 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD20 , 4M104EE08 , 4M104EE14 , 4M104EE18 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104FF21 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN02 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW09 , 5F033XX09 , 5F033XX25 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC07 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD09 , 5F058BD19 , 5F058BF02 , 5F058BJ02

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