特許
J-GLOBAL ID：200903000680364015
半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320703
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124185
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【目的】 EL発光素子、太陽電池、量子効果デバイス等に適用して有用となる均一な微細構造を有する半導体基板を製造する。【解決手段】 半導体基板1の一方の面に透明導電膜5を被着する。次に、透明導電膜5を被着した面の側から半導体基板1に光を照射しながら、透明導電膜5を陽極として陽極化成により半導体基板1に通電する。
請求項（抜粋）：
表面に微細構造を有する半導体基板を製造する方法であって、前記半導体基板の一方の略全面に透明導電膜を被着し、前記透明導電膜を被着した面の側から前記半導体基板に光を照射しながら、前記透明導電膜を陽極として陽極化成によって前記半導体基板に通電することを特徴とする半導体基板の製造方法。
Fターム (5件)：
5F043AA21
, 5F043DD08
, 5F043DD14
, 5F043EE14
, 5F043GG10
