特許
J-GLOBAL ID：200903000681407656
電荷結合素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182902
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021399
出願日： 2007年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】 半導体基板面内で均一にピンチオフ電圧差を形成し、半導体基板のダメージに起因する素子特性劣化がなく、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも上層半導体層とその直下に下層半導体層を備え、上層半導体層表面から侵入した第1の金属が下層半導体層にショットキー接触してバーチャルゲートショットキー電極を構成し、第1の電極の電荷取出電極側に接触するとともに、上層半導体層にショットキー接触してストレージゲートショットキー電極を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも上層半導体層と該上層半導体層直下の下層半導体層を含む複数の半導体層と、前記上層半導体層上に、電荷注入電極及び電荷取出電極と、前記電荷注入電極と前記電荷取出電極との間に、前記半導体層にショットキー接触する複数の電荷転送電極と、該電荷転送電極に、クロック電圧を印加する手段とを備えた電荷結合素子において、
前記電荷転送電極は、それぞれ第1の金属からなる第1の電極と、第2の金属からなる第2の電極とからなり、
前記第1の電極は、前記上層半導体層表面から該上層半導体層に侵入した前記第1の金属が前記下層半導体層にショットキー接触し、
前記第2の電極は、前記第1の電極の前記電荷取出電極側に接続し、前記上層半導体層にショットキー接触していることを特徴とする電荷結合素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4M118AA03
, 4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA22
, 4M118DA21
, 4M118DA40
, 4M118DB06
, 4M118EA02
, 4M118EA04
, 4M118EA09
, 4M118EA14
, 4M118EA16
