電子素子用ZnO半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-002404
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172244
出願日： 2008年01月09日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】電子素子用ZnO半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係る方法は、a)チャンバー内に基板を配置する段階と、b)チャンバー内に亜鉛前駆体を注入し、基板上に吸着させる段階と、c)チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の亜鉛前駆体を除去する段階と、d)基板上に形成された亜鉛前駆体と反応するようにチャンバー内に酸素前駆体を注入し、ZnO半導体膜を形成する段階と、e)チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の酸素前駆体を除去する段階と、f)a)乃至e)を反復して行う段階と、g)酸素プラズマまたはオゾンを用いてZnO半導体膜の表面処理を反復して行う段階と、h)チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の酸素前駆体及び亜鉛前駆体を除去する段階と、i)a)乃至h)を反復してZnO半導体膜の厚さを調節する段階とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

a)チャンバー内に基板を配置する段階と、 b)前記チャンバー内に亜鉛前駆体を注入し、前記基板上に前記亜鉛前駆体を吸着させる段階と、 c)前記チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の亜鉛前駆体を除去する段階と、 d)前記基板上に形成された前記亜鉛前駆体と反応するように前記チャンバー内に酸素前駆体を注入し、ZnO半導体膜を形成する段階と、 e)前記チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の酸素前駆体を除去する段階と、 f)前記a)段階乃至前記e)段階を反復して行う段階と、 g)酸素プラズマまたはオゾンを用いて前記ZnO半導体膜の表面処理を反復して行う段階と、 h)前記チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の酸素前駆体及び残余の亜鉛前駆体を除去する段階と、 i)前記a)段階乃至前記h)段階を反復して前記ZnO半導体膜の厚さを調節する段階とを含むことを特徴とする電子素子用ZnO半導体膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/365 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 16/40

FI (4件)：

H01L21/365 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C23C16/40

Fターム (67件)：

4K030AA01 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA47 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030DA08 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA13 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AD05 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045BB18 , 5F045CA15 , 5F045DA61 , 5F045EE19 , 5F045EH18 , 5F045HA16 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6563174号明細書

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