特許
J-GLOBAL ID：200903000688170082
ウエハーの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331925
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193029
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】スライシング精度を向上可能なウエハーの製造方法を提供することである。【構成】半導体インゴット1の外周に断面略V字状に溝3...を刻設して表面凹凸状に形成し、次に上記凹凸面2の全域をエッチングしてV字状溝3の先端3a及び凸面4のかど部4a...の面取り加工を施して夫々R状に形成し、そして次にそのV字状溝3を面取り加工してU字状に形成した凹面5位置においてスライシングして形成する。
請求項（抜粋）：
所望形状に形成されたインゴットの外周を溝加工して表面凹凸状に形成し、次に上記凹凸面全域をエッチング又はブラシ研磨して面取り加工を施し、そしてその面取り加工した凹面位置においてスライシングして形成されることを特徴とするウエハーの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 301
, H01L 21/304 311
, H01L 21/304 321
