特許
J-GLOBAL ID:200903000692919500
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-209603
公開番号(公開出願番号):特開平5-048079
出願日: 1991年08月21日
公開日(公表日): 1993年02月26日
要約:
【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの安定性を向上させる。【構成】 p型のベース層(4)がn型のコレクタ層(3)とn型のエミッタ層(5)とに挟まれたヘテロ接合構造体を有し、エミッタ層はGaInPにより形成され、ベース層中には内部電界を生じさせるGaInAsPのグレーティング層が形成されている。コレクタアップ型と、エミッタアップ型のいずれにも適用され得る。
請求項(抜粋):
p型のベース層がn型のコレクタ層とn型のエミッタ層とに挟まれたヘテロ接合構造体を有し、前記エミッタ層はGaInPにより形成され、かつ前記ベース層中には内部電界を生じさせるグレーディング層としてGaInAsP層が設けられていることを特徴とするNpn型のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
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