特許
J-GLOBAL ID：200903000692919500
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048079
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの安定性を向上させる。【構成】 p型のベース層(4)がn型のコレクタ層(3)とn型のエミッタ層(5)とに挟まれたヘテロ接合構造体を有し、エミッタ層はGaInPにより形成され、ベース層中には内部電界を生じさせるGaInAsPのグレーティング層が形成されている。コレクタアップ型と、エミッタアップ型のいずれにも適用され得る。
請求項（抜粋）：
p型のベース層がn型のコレクタ層とn型のエミッタ層とに挟まれたヘテロ接合構造体を有し、前記エミッタ層はGaInPにより形成され、かつ前記ベース層中には内部電界を生じさせるグレーディング層としてGaInAsP層が設けられていることを特徴とするNpn型のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
