特許
J-GLOBAL ID：200903000699257473
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152496
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238730
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、バーズビークの発生を抑制できる素子分離領域の形成方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板1上に熱酸化により、シリコン熱酸化膜2を、15nm〜60nm成長させる(同図(a))、続いてシリコン熱酸化膜2の表面に5nm〜30nmのシリコン酸窒化膜6を形成させ、シリコン酸窒化膜6とシリコン熱酸化膜2aをバッファ層の働きをさせ(同図(b))、シリコン窒化膜3を、120nm〜200nmの厚みで形成し、その後、素子分離領域11のみ開口したレジスト膜7を被覆し(同図(c))、レジスト膜7をマスクとして、素子分離領域11のシリコン窒化膜3およびシリコン酸窒化膜6を除去し(同図(d))、レジスト膜7を除去し、素子分離領域11を熱酸化して、フィールド酸化膜4を、膜厚400nm〜800nm成長させる(同図(e))。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、半導体素子を分離する第1絶縁膜が選択的に形成され、該第1絶縁膜で囲まれる素子形成領域が複数個半導体基板に形成され、該素子形成領域上に第2絶縁膜が形成され、該素子形成領域内に半導体素子が形成される半導体装置の製造方法において、前記第1絶縁膜がシリコン酸化膜で形成され、第2絶縁膜がシリコン酸窒化膜とシリコン酸化膜とで形成され、該シリコン酸窒化膜が表面側で窒素成分が多く、シリコン酸化膜側で酸素成分が多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
