特許
J-GLOBAL ID：200903000699382367
薄膜成長用サセプタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-105301
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321043
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 薄膜成長装置による成膜時の結晶欠陥を低減させるため、半導体基板の載置接触面のサセプタの平坦度を向上させることが可能な構造の薄膜成長用サセプタを提供することを目的とする。【構成】 薄膜成長用サセプタのサセプタ本体と位置決め固定治具とを分離できる構造とし、半導体基板との接触面を中心線平均粗さ50μm 以下に研磨仕上げした後、位置決め固定治具を設置することにより達成される。
請求項（抜粋）：
加熱をしながら半導体基板上に薄膜を成膜する薄膜成長装置に用いられるサセプタであって、半導体基板を載置するための全面が平坦な載置面と、この載置面に半導体基板の位置決めをする固定治具を係着する溝を設けてなることを特徴とする薄膜成長用サセプタ。
IPC (2件)：
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