特許

J-GLOBAL ID：200903000702292846

面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ

発明者： ダイクス,ジョン・ウエスト ,  キム,ヤング・コーン
出願人/特許権者： エム・ケイ・イー-クウォンタム・コンポーネンツ・コロラド・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-542685
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509956
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】トランスデューサはスピンバルブ(「SV」)構造を含み、このスピンバルブ構造は、その第1の端部に近接するピン止めされた強磁性層(98)と、対向して配置された、その第2の端部に近接する自由に回転する強磁性層(94)とを含む。第1および第2の電流導体(92,104)は、面垂直電流形態(「cpp」)においてそれぞれスピンバルブ構造の第1および第2の端部に近接する。ここに開示される特定的な実施例において、差動CPPトランスデューサ(120)は1対のSV構造(SV1,SV2)を含み、これらの1対のSV構造は、第1および第2の電流導体(132,152)を有し、共通の電流導体(142)がこれらのSV構造間に介在する。

請求項（抜粋）：

スピンバルブ構造を含み、前記スピンバルブ構造は、その第1の端部に近接するピン止めされた強磁性層と、対向して配置された、その第2の端部に近接する、自由に回転する強磁性層とを含み、さらに 前記スピンバルブ構造の前記第1および第2の端部にそれぞれ近接する第1および第2の電流導体を含む、トランスデューサ。