半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-225788
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053312
出願日： 2006年08月22日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】ショットキーゲート電極で制御する半導体装置において、ゲートリーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層に接しているソース電極Sと、半導体層に接しているとともに、ソース電極Sから絶縁されているドレイン電極Dと、半導体層に接しており、ソース電極Sとドレイン電極Dの双方から絶縁されているとともに、ソース電極Sとドレイン電極Dの間に伸びるチャネル領域に対向しているショットキーゲート電極50と、絶縁膜80を介してショットキーゲート電極50に対向している絶縁ゲート電極60を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、半導体層に接しているソース電極と、半導体層に接しているとともに、ソース電極から絶縁されているドレイン電極と、半導体層に接しており、ソース電極とドレイン電極の双方から絶縁されているとともに、ソース電極とドレイン電極の間に伸びるチャネル領域に対向しているショットキーゲート電極と、絶縁膜を介してショットキーゲート電極に対向している絶縁ゲート電極を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/80

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 V

Fターム (17件)：

5F102FA00 , 5F102FA08 , 5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-080241 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

ヘテロ構造電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-225449 出願人：日本電信電話株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-054330 出願人：株式会社東芝
III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所

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