炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-103719
公開番号（公開出願番号）：特開平9-268099
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】大型で且つ高純度の炭化珪素(SiC)単結晶を容易に且つ安価に製造することができる方法を提供する。【解決手段】加熱された雰囲気(成長空間14)中でSi蒸気と含C化合物ガスとを直接反応させ、SiC種結晶12上にSiC単結晶15を成長させるSiC単結晶の製造方法であって、Si蒸気の供給源として溶融Si13からのSi蒸気を用い、含C化合物ガスとして炭化水素ガス9(例えば、プロパンガス)を用いる方法。

請求項（抜粋）：

加熱された雰囲気中で珪素蒸気と含炭素化合物ガスとを直接反応させ、炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、珪素蒸気の供給源として溶融珪素からの珪素蒸気を用い、含炭素化合物として炭化水素を用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C30B 25/20 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A , C30B 25/20 , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平2-293398
特開平4-139076
炭化ケイ素単結晶基板製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-037209 出願人：日新製鋼株式会社

全件表示

前のページに戻る