特許
J-GLOBAL ID：200903000708534337
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
沼形 義彰 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221363
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体技術を用いた加速度センサにおいて、量産に適するとともに、小型で精度の高い加速度センサを得る製造方法を提供する。【解決手段】 固定部13と、下面に突出するとともに錘体21が接合された作用部11と、これら固定部13と作用部11とを接続し複数の抵抗素子15を上面に設けた可撓部とを備える加速度センサを製造する際に、空間14内にナフタリン等の充填剤N1を充填してダイシング加工D1を施すことにより、空間14内へのゴミ等の浸入を防止する。次工程で充填剤N1を除去し、更に次の工程へ進む。
請求項（抜粋）：
第1の基板上に複数の単位領域を形成し、前記単位領域において凹部を第2の面に形成する工程と、前記第1の基板の第2の面に第2の基板の第1の面を接合する工程と、前記接合された第1及び第2の基板との間の空間に充填剤を充填し固化する工程と、少なくともいずれか一方の基板を切断する工程と、切断部を洗浄する工程と、空間内に充填された充填剤を除去する工程とを備える半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 B
