ドライエッチング方法および装置、フォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：北村欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309002
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114246
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。【解決手段】金属薄膜のドライエッチング加工において、エッチングガスとして、酸素含有ガスとハロゲン含有ガスとからなる反応性イオンエッチングガスにさらに還元性のガスを添加した混合ガスを用いる。このドライエッチング方法を利用してフォトマスクブランクスにウェハー基板に転写すべきパターンを形成してフォトマスクとする。このフォトマスクを用いて半導体回路を製作する。

請求項（抜粋）：

金属薄膜のドライエッチング加工において、エッチングガスとして、酸素含有ガスとハロゲン含有ガスとからなる反応性イオンエッチングガスにさらに還元性のガスを添加した混合ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/40 521 , H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 J , G03F 7/40 521 , H01L 21/88 D

Fターム (52件)：

2H096AA25 , 2H096AA30 , 2H096HA13 , 2H096HA24 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA01 , 5F004BA04 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DA29 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004DB13 , 5F004DB16 , 5F004DB17 , 5F004DB18 , 5F004EB02 , 5F004EB07 , 5F033GG04 , 5F033HH03 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH35 , 5F033QQ01 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033WW06

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭62-181433
特開昭61-053729
特開昭53-138942

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