特許
J-GLOBAL ID：200903000712157360
混晶半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236146
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013328
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体混晶を用いた半導体装置に関し、混晶半導体を用いつつ、合金散乱を抑制することのできる混晶半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置における電荷キャリアが通過する領域またはその近傍の領域の少なくとも一部が、2成分混晶を形成する各成分であるIII-V族化合物の(110)面単分子層の規則的交互積層で形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置における電荷キャリアが通過する領域またはその近傍の領域の少なくとも一部(2)が、2成分混晶を形成する各成分であるIII-V族化合物の(110)面単分子層(6、7)の規則的交互積層で形成されていることを特徴とする混晶半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 29/68
, H01L 21/338
, H01L 29/812
