特許

J-GLOBAL ID：200903000712184286

電界効果トランジスタのチャネル領域へのシリサイドの侵入を防ぐための基板のアモルファス化

発明者： ベイ、ギャン ,  ジェイコブ,ポーリーン・エヌ ,  ジャン,チアーホン ,  ツァイ,ジュリエ・エイ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-588792
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526198
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：

【要約】MOSFETがシリサイド化されたソース/ドレイン端子および実質的に金属を含まないチャネル領域を含む。シリサイドの金属は、基板材料が金属中に拡散するよりも容易にソース/ドレイン端子を含む基板材料中に拡散することを特徴とする。本発明の他の形態では、金属と反応させる前に、MOSFETのソース/ドレイン端子の一部をアモルファス材料に転化させる。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極に隣接して側壁スペーサを形成し、 実質的に前記側壁スペーサに隣接してソース/ドレイン端子を形成し、 前記ソース/ドレイン端子の一部をアモルファス状態に転化させ、 前記ゲート電極および前記ソース/ドレイン端子の上に金属を堆積させ、 前記金属を前記ソース/ドレイン端子のアモルファス部分と反応させることを含むトランジスタを形成する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/50 M

Fターム (43件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104DD90 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M104HH16 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG35 ,  5F140BH06 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK22 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK35 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07