分散メッキ方法及びセレン分散銅-インジウム電着層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168419
公開番号（公開出願番号）：特開平9-020995
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】分散メッキ層と下地層との密着性に優れ、電子部品製造に応用でき、コストアップを引き起こすことのない、メッキ後の取扱が容易な優れた分散メッキ方法を提供する。【解決手段】メッキ期間中に電流密度を変化させる。

請求項（抜粋）：

メッキ期間中に電流密度を変化させることを特徴とする分散メッキ方法。

IPC (3件)：

C25D 15/02 , C25D 5/10 , C25D 5/18

FI (4件)：

C25D 15/02 A , C25D 15/02 E , C25D 5/10 , C25D 5/18

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