特許

J-GLOBAL ID：200903000714288003

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 平本 清久 ,  佐川 みすず ,  豊中 隆司 ,  篠田 和典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129975
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】リッジ部を有する半導体レーザ装置のリッジ幅の制御性を向上し、素子の歩留まりを改善する。【解決手段】積層して形成された二つのクラッド層7、9によってリッジが構成され、上記二つのクラッド層7、9の間に、当該クラッド層7、9よりエッチング速度の低いエッチングストップ層8が介在し、リッジの側壁は(111)Aおよび(111)B面から構成される。【効果】リッジ部を有する半導体レーザ装置におけるリッジ幅の制御性は数%以内に改善され、素子の歩留まりをほぼ100%に向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層して形成された、光を発生する活性層、第1の半導体クラッド層、第2の半導体クラッド層および第3の半導体クラッド層を少なくとも具備し、少なくとも上記第1の半導体クラッド層と上記第2の半導体クラッド層の間および上記第2の半導体クラッド層と上記第3の半導体クラッド層の間には、上記半導体クラッド層よりもエッチ液に対する溶解速度が小さい層が、それぞれ介在していることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/308 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-037684