特許

J-GLOBAL ID：200903000716766018

炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： 河合 潤 ,  山本 剛
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154266
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332357
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】 グラファイト層を除去し、密着性の高い配線用電極が形成できるSiC半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 Niシリサイド膜23の表面に形成されたグラファイト層24をスパッタ、酸化、還元もしくは過熱による気化によって除去する。これにより、グラファイト層24が除去されたNiシリサイド膜23の表面に、配線用電極25を成膜することが可能となる。したがって、グラファイト層24によって配線用電極25とNiシリサイド膜23との密着性が低下することを防止でき、配線用電極25が剥がれることを防止することが可能となる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素(21)の表面にNi膜(22)を形成する工程と、 熱処理を行うことで、前記Ni膜(22)をシリサイド化させ、前記炭化珪素(21)の表面にNiシリサイド膜(23)を形成する工程と、 前記Niシリサイド膜(23)を形成する工程において前記Niシリサイド膜(23)の表面に形成されるグラファイト層(24)を除去する工程と、 前記グラファイト層(24)が除去された前記金属シリサイド膜(23)の上に配線用電極(25)を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/28

FI (2件)：

H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S

Fターム (9件)：

4M104AA03 ,  4M104BB21 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104HH08