特許
J-GLOBAL ID：200903000717118427
消費電力制御回路付半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151777
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は消費電力を減少させることである。【構成】 クロック信号1と読み出し書き込み制御信号2は消費電力制御回路11に供給されており、消費電力制御回路11は制御信号2に応答してクロック信号1を読み出し制御信号5または書き込み制御信号6として出力する。この2つの制御信号5,6は選択的に出力されるので読み出し動作中には書き込み部8を書き込み動作中には、読み出し部7を停止させることになる。したがって同期式メモリ内部の消費電力を削減することを可能としている。
請求項（抜粋）：
メモリセルと、読み出し時にクロック信号に応答してメモリセルからデータを読み出す読み出し手段と、書き込み時にクロック信号に応答してメモリセルにデータを書き込む書き込み手段とを備えた半導体集積回路において、読み出し動作と書き込み動作のいずれかを指定する制御信号に応答して読み出し手段と書き込み手段のいずれかにのみクロック信号を供給する消費電力制御回路を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 A
, G11C 11/34 J
