特許

J-GLOBAL ID：200903000717922579

シリコン系薄膜太陽電池

発明者： 澤田 徹 ,  福田 丞
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211093
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044455
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 反り量を低減することで製造時の歩留まりおよび長期信頼性に優れたシリコン系薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 基板1上には、半導体薄膜光電変換層3が形成されている。半導体薄膜光電変換層3は、水素を含む非晶質以外のシリコン層を少なくとも1部に含む発電層を有し、その発電層は1μm以上4μm以下の膜厚で形成されている。基板1は、2×10-6K-1以上4×10-6K-1以下の熱膨張係数を有している。

請求項（抜粋）：

水素を含む非晶質以外のシリコン層を少なくとも一部に含む発電層が1μm以上4μm以下の膜厚で基板上に形成されており、前記基板の熱膨張係数は2×10-6K-1以上4×10-6K-1以下である、シリコン系薄膜太陽電池。

Fターム (15件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051BA17 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051EA02 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA20