特許

J-GLOBAL ID：200903000718181343

半導体装置用洗浄剤および配線パターンの形成方法

発明者： 青山 哲男 ,  岩田 恵一 ,  羽田 真由美 ,  長谷見 隆司
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-074923
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283204
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【構成】第4級アンモニウム水酸化物、糖類または糖アルコール類、ヘキサメチレンテトラミンを含有する水溶液からなる半導体装置用洗浄剤、および該半導体装置用洗浄剤を使用してフォトレジストの側壁保護膜をアルミニウム系配線体より除去する配線パターンの形成方法【効果】ドライエッチング時に形成される側壁保護膜を完全に除去されるのでコロージョンの発生が完全に回避され、更に配線材料であるアルミニウム合金の腐食が充分に抑制されるので超微細な配線パターンを形成できる。

請求項（抜粋）：

一般式〔(R1 )3 N-R〕+ OH- (Rは炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシ置換アルキル基、R1 は炭素数1〜4のアルキル基)で表される第4級アンモニウム水酸化物0.01〜15重量%、糖類または糖アルコール類0.1〜20重量%、ヘキサメチレンテトラミン1〜40重量%を含有する水溶液からなることを特徴とする半導体装置用洗浄剤。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/302 G ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 F