特許

J-GLOBAL ID：200903000721927356

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 木本 雅孝
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186963
公開番号（公開出願番号）：特開2001-014874
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 限界値保持不揮発性メモリに、試験結果に基づいて設定される保証回数を限界値として入力することによって、本来の製品仕様の保証回数を満足しなくとも、保証回数が低い不揮発性半導体メモリ装置として利用するができる不揮発性半導体メモリ装置の提供を目的とする。【解決手段】 不揮発性半導体メモリ装置10は、限界値保持不揮発性メモリ6に、試験結果に基づいて設定される保証回数を限界値として入力することによって、本来の製品仕様の保証回数を満足しない不揮発性半導体メモリ装置10であっても、保証回数が少ない不揮発性半導体メモリ装置1として利用するができるので、不揮発性半導体メモリ装置10の歩留まりを向上させることができる。

請求項（抜粋）：

データの書き込みおよび消去の処理回数が有限な不揮発性半導体メモリと、この処理回数をカウントアップするカウンタと、このカウントアップされた前記処理回数を記憶する不揮発性記憶部と、有限な前記処理回数に対する保証回数を限界値として記憶する限界値保持不揮発性メモリと、カウントアップされた前記処理回数がこの記憶された限界値と等しくなると外部出力信号を出力するコンパレータとを少なくとも有する不揮発性半導体メモリ装置において、前記不揮発性記憶部および前記限界値保持不揮発性メモリを初期化し、かつ、前記限界値保持不揮発性メモリに前記限界値を書き込む消去・書き込み回路を備え、前記限界値を、前記不揮発性半導体メモリの試験結果に基づいて設定することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 29/00 601

FI (2件)：

G11C 17/00 601 B ,  G11C 29/00 601 C

Fターム (8件)：

5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE01 ,  5B025AE08 ,  5B025AE09 ,  5L106AA10 ,  5L106CC36 ,  5L106DD25