特許

J-GLOBAL ID：200903000723577808

渦電流抑制型超磁歪素子及びその製造方法

発明者： 松 井 康 浩 ,  高 井 敦 史 ,  鈴 木 隆 ,  大 場 富美雄
出願人/特許権者： 株式会社モリテックス ,  ナパック株式会社
代理人 (2件)： 澤野 勝文 ,  川尻 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-161728
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363426
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】外部磁界が変化したときに生ずる渦電流に起因するジュール熱の発生を抑えてエネルギー変換効率の損失を低減させ、高温多湿の環境下においても酸化・腐食による磁気特性の劣化を起こしにくく、製造コストを著しく低減させる。【解決手段】希土類金属と遷移金属がモル比(遷移金属/希土類金属)1.8〜2.1の金属微粒子を所定形状にプレス成形して熱処理することによりラーベス相を主相とする焼結体(1)を生成した後、真空雰囲気内で前記焼結体を樹脂液又は防錆油に浸漬させた状態に維持することにより焼結体(1)内に樹脂液又は防錆油を含浸させて、予め設計された超磁歪素子を分割した形状の複数の渦電流抑制型超磁歪エレメント(2)を形成し、これらエレメント(2)を一体的に接着させて渦電流抑制型超磁歪素子(GM)を製造するようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

希土類金属と遷移金属とのモル比(遷移金属/希土類金属)が1.8〜2.1の割合で含有されたラーベス相を主相とする焼結体に樹脂液又は防錆油を含浸させて成る複数の渦電流抑制型超磁歪エレメントが、予め設計された超磁歪素子を分割した形状に形成され、これらエレメントが一体的に接着されて成ることを特徴とする渦電流抑制型超磁歪素子。

IPC (3件)：

H01L41/12 ,  C22C38/00 ,  H01L41/22

FI (3件)：

H01L41/12 ,  C22C38/00 303D ,  H01L41/22 Z