半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮井暎夫 , 伊藤誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-072944
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261200
出願日： 2005年03月15日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。【解決手段】シリコン基板101上に、多数の素子形成領域に区画する素子分離領域として、溝型の素子分離105が形成されている。この素子分離105の表面は素子形成領域のシリコン基板101の表面よりも低く、両者間には所定の高低差を有する段差部が形成されている。上記素子分離105により画成された素子形成領域には、拡散層領域111、その上部にシリサイドで構成された拡散層電極113bが形成されている。拡散層電極は、拡散層領域における境界端部上面を含み、溝型素子分離領域における境界端部上面を含まないように形成されることにより、素子分離と分離されている。素子分離105と素子形成領域との段差部側面には、段差部サイドウォール106が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、表面の一部にシリサイド膜を有する活性領域と、前記活性領域に隣接して形成された溝型素子分離領域とを備え、前記溝型素子分離領域と前記活性領域との境界は、前記溝型素子分離領域表面の高さが前記活性領域の高さよりも低い段差形状に形成され、前記シリサイド膜は、前記活性領域における前記境界端部上面を含み、前記溝型素子分離領域における前記境界端部上面を含まないように形成されることにより、前記溝型素子分離領域と分離されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 27/08 , H01L 21/28 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/76 , H01L 29/78 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (10件)：

H01L27/08 331A , H01L21/28 301D , H01L21/28 301S , H01L27/08 102B , H01L21/76 L , H01L29/78 301R , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/50 M , H01L29/58 G

Fターム (82件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD65 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA67 , 5F032AA77 , 5F032AA78 , 5F032BA01 , 5F032BB06 , 5F032CA17 , 5F032DA23 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG00 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP48 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR10 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR55 , 5F083ZA07 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BH14 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG38 , 5F140BG53 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB10 , 5F140CE07 , 5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平3-79033号公報

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