特許

J-GLOBAL ID：200903000749788858

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 鈴木 哲哉 ,  矢代 弘克 ,  尾上 浩三
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302913
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】 【目的】 II〜VI族の元素よりなる化合物半導体積層工程後の工程でII〜VI族の元素よりなる化合物半導体層が劣化することのない、II〜VI族の元素よりなる化合物半導体層が積層された紫外線領域から緑色、青色領域の発光が得られる半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。【構成】 II〜VI族元素よりなる化合物半導体層を複数積層2し、ストライプ状のコンタクト孔6を有する絶縁膜を形成するに際し、感光性樹脂3により、該絶縁膜を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法

請求項（抜粋）：

III 〜V族元素よりなる化合物半導体基板上に、III 〜V族元素よりなる化合物半導体層およびII〜VI族元素よりなる化合物半導体層を複数積層する工程と、該化合物半導体層の最上層上に感光性樹脂を塗布する工程と、該感光性樹脂にストライプ状の遮光部を有するマスクを通して光を照射して、照射された部分を硬化させる工程と、前記感光性樹脂の該マスクのストライプ状の遮光部により光が遮光されて光が照射されなかった部分を有機溶剤により溶解させて除去する工程と、電極となる金属膜を成膜する工程と、よりなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00