特許

J-GLOBAL ID：200903000751447499

半導体装置

発明者： 仲矢 実
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082965
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 ドレイン・ゲート間容量が小さく、FETのオフ時に電圧が高く、スルーレートが高い信号が印加されてもオンとならない半導体装置を実現することを目的にする。【構成】 本発明は、ベース層とソース層とからなる2重拡散層が形成される縦型2重拡散MOS形FETが設けられる半導体装置に改良を加えたものである。本装置は、ドレイン層上に形成されるフィールド酸化膜と、2重拡散層上に形成されるゲート酸化膜と、を有し、ゲート酸化膜の上にフィールド酸化膜の側壁に形成されるサイドウォールをゲート電極にすることを特徴とする装置である。

請求項（抜粋）：

ベース層とソース層とからなる2重拡散層が形成される縦型2重拡散MOS形FETが設けられる半導体装置において、ドレイン層上に形成されるフィールド酸化膜と、前記2重拡散層上に形成されるゲート酸化膜と、を有し、前記ゲート酸化膜の上に前記フィールド酸化膜の側壁に形成されるサイドウォールをゲート電極にすることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 31/10 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-004262
  
• 特開平4-247665
  
• 特開平3-132077