特許
J-GLOBAL ID:200903000751562697

液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 敬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-118462
公開番号(公開出願番号):特開平7-325314
出願日: 1994年05月31日
公開日(公表日): 1995年12月12日
要約:
【要約】【目的】 TFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、補助容量電極によるゲート絶縁膜の段差に沿ったa-Siのエッチング残りに起因するソース・ドレイン間の抵抗の減少を防ぎ、画素容量の電圧保持率の低下や、ソース・ドレイン間のショートを防止する。【構成】 補助容量電極(11S)が表示電極(16)から、平面的にはみだした構造である。これにより、補助容量電極(11S)と補助容量ライン(11SL)のエッジに沿ってL字型に生じるゲート絶縁膜の段差に規定された領域にエッチング不良によるa-Si(13T)が残っても、表示電極(16)にまでは達せず、ドレインライン(17DL)からは絶縁されている。このため、ソース・ドレイン間の抵抗の低下が防がれ前記目的が達成される。
請求項(抜粋):
基板上に複数配置されたゲートライン及び補助容量電極と、該補助容量電極を一方向について互いに接続する補助容量ラインと、絶縁膜を挟んで前記ゲートライン及び前記補助容量ラインに交差して配置されたドレインラインと、前記補助容量電極に部分的に重畳して配置された表示電極と、前記ゲートラインと前記ドレインラインの交差部に形成された薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、前記補助容量電極のエッジは、前記表示電極との重畳領域において角部を有さないことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

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