特許
J-GLOBAL ID:200903000755281749

エネルギー貯蔵デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-199538
公開番号(公開出願番号):特開2007-018890
出願日: 2005年07月08日
公開日(公表日): 2007年01月25日
要約:
【課題】 長寿命且つ低温から常温での出力特性の優れたエネルギー貯蔵デバイスを提供する。【解決手段】 主に活物質の酸化状態が変化し、電荷が活物質内部に移動するファラデー的な反応を有する正極ファラデー層と、主に活物質表面にイオンが物理的に吸脱着されることで電荷を蓄積・放出する非ファラデー的な反応を有する正極非ファラデー層の反応機構の異なる2つの領域を有し、これらの領域が、正極集電体上に正極非ファラデー層、さらに前記正極非ファラデー層上に正極ファラデー層として配された正極と、負極集電体にファラデー的な反応機構を有する領域を配した負極とを有することを特徴とするエネルギー貯蔵デバイスを作製することで長寿命且つ低温から常温での優れた出力特性を得た。【選択図】図1
請求項(抜粋):
正極集電体に非ファラデー的な反応機構を有する領域である正極非ファラデー層を配し、さらに前記正極非ファラデー層上にファラデー的な反応機構を有する領域である正極ファラデー層を配した反応機構の異なる2つの領域を有する正極と、負極集電体にファラデー的な反応機構を有する領域を配した負極とを有することを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス。
IPC (5件):
H01M 10/40 ,  H01M 4/02 ,  H01M 2/16 ,  H01M 2/20 ,  H01G 9/058
FI (6件):
H01M10/40 B ,  H01M4/02 C ,  H01M4/02 D ,  H01M2/16 P ,  H01M2/20 A ,  H01G9/00 301B
Fターム (60件):
5H021AA01 ,  5H021EE04 ,  5H021EE10 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AK06 ,  5H029AK08 ,  5H029AK18 ,  5H029AL02 ,  5H029AL06 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ03 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ22 ,  5H029EJ04 ,  5H029EJ12 ,  5H029EJ14 ,  5H029HJ02 ,  5H043AA02 ,  5H043AA13 ,  5H043AA14 ,  5H043BA19 ,  5H043CA07 ,  5H043CA13 ,  5H043CA21 ,  5H043EA27 ,  5H043FA02 ,  5H043FA24 ,  5H043FA31 ,  5H043JA21E ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA14 ,  5H050CA16 ,  5H050CA29 ,  5H050CB02 ,  5H050CB07 ,  5H050CB09 ,  5H050CB11 ,  5H050CB12 ,  5H050DA09 ,  5H050EA08 ,  5H050EA09 ,  5H050EA10 ,  5H050EA23 ,  5H050EA24 ,  5H050EA28 ,  5H050FA02 ,  5H050GA22 ,  5H050HA02
引用特許:
出願人引用 (1件)

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