特許
J-GLOBAL ID：200903000755694326
ろう材、これを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鴨田 朝雄
, 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-380257
公開番号（公開出願番号）：特開2005-138174
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 半導体素子のダイボンディングや電子部品の組立て等で用いるのに好適で、Pbを含まない新規なSn/Sb系ろう材を提供する。【解決手段】 Sbを30〜65質量%、Pを0.001〜0.5質量%を含み、残部がSnおよび不可避不純物である。さらに、Ag、Cu、FeおよびNiのうちの1種以上を合計で0.01〜5質量%を添加してもよい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
Sbを30〜65質量%、Pを0.001〜0.5質量%を含み、残部がSnおよび不可避不純物であることを特徴とするろう材。
IPC (2件)：
FI (3件)：
B23K35/26 310A
, B23K35/26 310Z
, H01L21/52 E
