特許
J-GLOBAL ID：200903000767281973
半導体洗浄用炭酸ジエチルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川浪 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358020
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196464
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体洗浄用炭酸ジエチルを提供する。【構成】 塩素を含有する炭酸ジエチルを弱アルカリ水溶液で洗浄し、純水で中性になるまで洗浄し、次いで脱水して半導体洗浄用炭酸ジエチルを製造する。
請求項（抜粋）：
塩素を含有する炭酸ジエチルを弱アルカリ水溶液で洗浄し、純水で中性になるまで洗浄し、次いで脱水することを特徴とする、半導体洗浄用炭酸ジエチルの製造方法
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304 ZAB
, C07C 69/96
, C11D 7/26
