特許

J-GLOBAL ID：200903000768649818

ドライエツチング方法

発明者： 門村 新吾 ,  辰巳 哲也 ,  長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210516
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013383
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを使用せずにSi系材料層の異方性エッチングを実用的な低温域で行う。【構成】 ウェハを-70°に冷却し、S2 F2 を用いてDOPOS層3をエッチングする。S2 F2 から解離生成するF* の作用とSF+ ,S+ 等の入射イオンのアシストによりエッチングが進行する一方、プラズマ中に放出された遊離のSが低温冷却されたウェハの表面に堆積し、側壁保護膜5を形成する。したがって、CFCガスやレジスト・マスクに由来する炭素系ポリマーに依存せずに異方性加工が行える。しかも、エッチング終了後にはSはウェハ加熱もしくはアッシングにより容易に除去できるので、パーティクル汚染を招かない。S2Cl2 を用いればAl系材料層もエッチング可能であり、コロージョン耐性も向上する。

請求項（抜粋）：

被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら、S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10,S3 Cl2 ,S2 Cl2 ,SCl2 ,S3 Br2 ,S2 Br2 ,SBr2 から選ばれる少なくとも1種類のハロゲン化イオウを含むエッチング・ガスを用いてシリコン系材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-217917
  
• 特開平1-217917
  
• 特開平2-309631
  
• 特開昭61-256725