特許
J-GLOBAL ID：200903000769773318
信号事象アップセットが強化されたメモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166074
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198182
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 抵抗と容量を効果的に組み合わせることにより、アップセットに強いメモリセルを提供する。【構成】 双安定論理装置(110)は、第1及び第2のインバータ(112)及び(114)を備えている。第1の抵抗性接続部(140)は、第1のインバータ(112)の入力端(134)及び第2のインバータ(114)の出力端(B_)の間に設けられ、第2の抵抗性接続部(142)は、第2のインバータ(114)の入力端(138)及び第1のインバータ(112)の出力端(B)の間に設けられている。第1及び第2の抵抗性接続部はまた、容量性で以って結合されている。
請求項（抜粋）：
第1及び第2のインバータと、前記第1のインバータの入力端及び前記第2のインバータの出力端の間の第1の抵抗性接続部と、前記第1のインバータの入力端及び前記第1のインバータの出力端の間の容量性結合部と、を具備したことを特徴とする双安定論理装置。
IPC (3件)：
G11C 11/41
, H01L 27/04
, H01L 27/10 491
