半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012878
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】サリサイド構造のMOSトランジスタの形成において、チタン・シリサイド膜のシート抵抗が低く,トランジスタ自体およびトランジスタ間のリークおよび短絡が抑制された製造方法を提供する。【解決手段】チタン膜107表面を覆う酸化チタン膜108は、(窒素を含まずに)300°C〜500°Cのトリ・フルオロ・メタン・ガスを含んだ雰囲気で熱処理され、弗化チタン膜114になる。700°Cで程度の窒素雰囲気での熱処理により、弗化チタン膜114は気化し,ゲート電極104上面並びに拡散層106表面に自己整合的にC49結晶構造のチタン・シリサイド膜109aが形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面の素子分離領域に素子分離絶縁膜を形成し、該シリコン基板の表面の素子形成領域にゲート絶縁膜を形成し、多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成し、該ゲート電極の側面に絶縁膜スペーサを形成し、ソース・ドレイン領域となる拡散層を形成する工程と、前記拡散層の表面および前記ゲート電極の上面を直接に覆うチタン膜を形成する工程と、300°C〜500°Cの温度範囲の弗素化合物ガス雰囲気で第1の熱処理を行なう工程と、500°C〜750°Cの温度範囲の窒素雰囲気で第2の熱処理を行ない、前記拡散層の表面およびゲート電極の上面に選択的にC49結晶構造のチタン・シリサイド膜を形成する工程と、窒化チタン膜および未反応のチタン膜を選択的に除去し、前記第2の熱処理より高温での第3の熱処理によりC49結晶構造のチタン・シリサイド膜をC54結晶構造のチタン・シリサイド膜に変換する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/28 301 T

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