特許

J-GLOBAL ID：200903000777255415

電歪センサおよびアクチュエータ

発明者： スミッツ,ヨハネス ジー.
出願人/特許権者： トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシィティ
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-500616
公開番号（公開出願番号）：特表平8-501899
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】検知と作動のための電歪不均質バイモルフを製作する方法であって、Si3N4の層の上にZnO層を堆積することを含む。電歪材料はたわみを起こす電圧にバイアスされる。その結果生じるたわみの大きな振幅は、印加電圧と2次の関係がある。

請求項（抜粋）：

電歪デバイスを用いる方法であって、 基板に固着する電歪材料を設け、 電界を前記材料に加えるため、デバイスを与える前記電歪材料の、異なる領域に電気接点を設け、 バイアス電圧に2次的に依存してたわむ前記電歪材料を、ある電圧にバイアスしてたわませる、ことを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 41/09 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08

FI (2件)：

H01L 41/08 M ,  H01L 41/08 Z