レジスト処理装置及びその方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332206
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171955
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハー上にレジストあるいはSOGを塗布する工程において、簡便でかつ高精度な装置精度管理および使用ができるレジスト処理装置及びその方法を提供する。【解決手段】吐出時に付加する吐出圧力とその時の吐出量あるいは吐出流量を、吐出毎あるいはロット毎に測定、モニターし、この結果から次吐出時に設定吐出量からはずれないように吐出圧力または吐出時間を自動的に調整することで、吐出毎の吐出量のばらつきを低減し、レジスト瓶の製造ロット番号の違いによる粘度差の為の塗布膜厚変動に対応する、または半導体ウェハーにおいてロット、ウェハー間の塗布膜厚ばらつきの低減を可能にでき、また定期的にオペレーターによる膜厚確認を行う必要がなくなることにより、簡便でかつ高精度なレジストあるいはSOGの塗布が可能となり、その結果パターン寸法精度が大きく向上する。

請求項（抜粋）：

複数個の半導体装置が配列されている半導体ウェハーの表面にレジスト、 SOG等を塗布する工程において、レジストの粘度が製造ロットにより数cp変動してもその時の吐出流量と吐出圧力とを検出する手段を有し、また吐出流量と吐出圧力を制御する手段を有し、該検出結果に基づき吐出流量と吐出圧力のどちらか一方あるいは両方を調整する手段を有することで塗布膜厚を一定の膜厚に管理する機能を有することを特徴とするレジスト処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B05C 11/08 , B05D 1/40 , G03F 7/16 501 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 21/30 564 C , B05C 11/08 , B05D 1/40 A , G03F 7/16 501 , H01L 21/31 A , H01L 21/316 G , H01L 21/30 564 D

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