特許
J-GLOBAL ID：200903000779490730
3-5族化合物半導体の結晶性向上方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-077841
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200723
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】 3-5族化合物半導体の結晶性向上方法を提供する。【解決手段】 (1)基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体を製造するに当り、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を積層することを特徴とする3-5族化合物半導体の結晶性向上方法。(2) 基板と下地層のあいだにバッファ層を積層することを特徴とする上記(1)の方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体を製造するに当り、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を積層することを特徴とする3-5族化合物半導体の結晶性向上方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA47
, 5F041CA57
, 5F041CA65
