特許

J-GLOBAL ID：200903000780080537

記憶装置

発明者： 野中 勉
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-023110
公開番号（公開出願番号）：特開平7-210457
出願日： 1994年01月25日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 記憶装置本来の構成ワード数よりも多くのワード数のデータを記憶できるようにする。【構成】 記憶すべきデータとその前のデータとの差を表す差分データd2と、前のデータd1とを演算器2により加算することにより、差分データd2を差分をとる前の元のデータd3に戻すとともに、比較器4により差分データd2の値が所定値以内であるか否かを判定し、その判定の結果出力されるフラグデータf1の値に応じて、差分データd2または元のデータd3の何れかをマルチプレクサ5により選択し、このようにして選択したデータをメインメモリ6に記憶するようにすることにより、記憶すべきデータをデータ量が少ない差分データの形でメインメモリ6に記憶した分だけ記憶領域を節約するようにして、記憶装置本来の構成ワード数よりも多くのデータを記憶することができるようにする。

請求項（抜粋）：

ディジタルデータを書き込んで記憶するとともに、外部から与えられる読み出し命令に応じて上記書き込まれたデータを読み出して出力するようにした半導体回路よりなる記憶装置において、記憶すべきデータとその前のデータとの差が所定値以内であるか否かを判定する判定回路と、上記判定回路の判定の結果に基づき、上記記憶すべきデータをそのまま記憶するか、あるいは差分データを記憶するかを選択する選択回路とを具備することを特徴とする記憶装置。