特許
J-GLOBAL ID：200903000783301887
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253594
公開番号（公開出願番号）：特開平11-096781
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 書き換え可能回数と保持時間を長くする。【解決手段】 複数のメモリセクタ中の特定のメモリセクタ(第1セクタ)を高信頼性領域として設定し、該領域においては書き込みを行う際に2個以上のメモリセルに対して同時に書き込みを行うとともに読み出しの際には同時に書き込みされた前記メモリセルを同時に読み出すようにするとともに、高信頼性領域のメモリセクタの大きさを外部(308乃至311)から調整できるようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセル中の特定のメモリセルを高信頼性領域として設定し、該領域に長期間保持させたいデータや書き換え回数の多いデータを記憶させ、高信頼性領域のメモリセクタの大きさを外部から調整できるようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 633 A
, G11C 17/00 601 Q
