電界発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085118
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265792
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】非発光時のコントラストを低くし、非発光不良部分の発生、ショート、絶縁破壊などの不良が生じるのを抑制した電界発光素子を提供する。【解決手段】ガラス基板11上にアノード電極12が形成され、アノード電極12を覆うようにブラックマスク膜13が形成されている。このブラックマスク膜13の開口部13Cに有機EL層15が形成され、この有機EL層15を完全に覆うようにカソード電極16が形成されている。このような構成により、有機EL層15が露出することがなく、アノード電極12/有機EL層15の界面やカソード電極16/有機EL層15の界面から水分や酸素が侵入するのを抑制することができる。このため、有機EL層15の劣化を抑制して、非発光不良が発生したり、ショート、絶縁破壊などの不良が生じるのを抑制できる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上に所定パターンの第1電極が形成され、該第1電極の上に有機エレクトロルミネッセンス層が形成され、エレクトロルミネッセンス層の上に第2電極が形成され、前記第1電極と前記第2電極とが前記エレクトロルミネッセンス層を介して重なる領域が発光する電界発光素子であって、前記第1電極が、当該第1電極の上面の領域内に位置する開口部が形成されたブラックマスク絶縁膜で、覆われると共に、前記開口部の内壁に沿って前記エレクトロルミネッセンス層が形成され、前記エレクトロルミネッセンス層の露出部分を覆うように前記第2電極が形成されていることを特徴とする電界発光素子。

IPC (3件)：

H05B 33/22 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/22 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-250583
特開平3-274694
電界発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-321004 出願人：カシオ計算機株式会社

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