特許
J-GLOBAL ID：200903000799324925
基板処理装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143880
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343782
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 アウタチューブの天井に反応生成物が付着するのを防止できて、基板にパーティクルが付着するのを防止でき、さらにガス流の向きををスムーズに変更することで、均一で高品質の基板処理を行え、また半導体装置を製造することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 インナチューブ3A内を上方に向かって流れたガスがインナチューブ3A上端部にて流れの向きが変えられ、インナチューブ3Aとアウタチューブ2Aとの間を下方に向かって流れて排出される基板処理装置において、インナチューブ3Aの上方部を覆うようにインナチューブキャップ11を設けて、インナチューブ3Aの上端部とインナチューブキャップ11の間にガス流路を形成し、且つインナチューブキャップ11の中央部をガス流の上流側に突出させたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
インナチューブ内を上方に向かって流れたガスがインナチューブ上端部にて流れの向きが変えられ、インナチューブとアウタチューブとの間を下方に向かって流れて排出される基板処理装置において、前記インナチューブの上方部を覆うようにガス流変流部材を設けて、前記インナチューブの上端部と前記ガス流変流部材の間にガス流路を形成し、且つ前記ガス流変流部材の中央部をガス流の上流側に突出させたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, C23C 16/455
4K030CA04
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030KA04
, 4K030LA15
, 5F045AB32
, 5F045BB15
, 5F045DP19
, 5F045EC02
, 5F045EE20
, 5F045EF13
