半導体レーザ型光増幅素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201224
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064904
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 TE偏波入力光とTM偏波入力光に対するゲインを別々に調整でき、かつゲイン特性の偏波依存性が小さい半導体レーザ型光増幅素子の提供。【構成】導波路の一端面が入力端面となり、他端面が出力端面となる半導体レーザ型光増幅素子であって、前記導波路は量子井戸構造で形成されているとともに、前記導波路においては一部の長さ領域ではTE偏波光を増幅する面内圧縮歪み型の格子整合形態を構成しているとともに、他の一部の長さ領域ではTM偏波光を増幅する面内伸張歪み型の格子整合形態を構成した構造となり、かつ前記面内伸張歪み型の格子整合形態部分および面内圧縮歪み型の格子整合形態部分はそれぞれ独立した電極によってそれぞれ所望の電圧が印加されるように構成されている。

請求項（抜粋）：

導波路の一端面が入力端面となり、他端面が出力端面となる半導体レーザ型光増幅素子であって、前記導波路は量子井戸構造で形成されているとともに、前記導波路においては一部の長さ領域ではTE偏波光を増幅する面内圧縮歪み型または無歪み型の格子整合形態を構成しているとともに、他の一部の長さ領域ではTM偏波光を増幅する面内伸張歪み型の格子整合形態を構成した構造となり、かつ前記面内伸張歪み型の格子整合形態部分および面内圧縮歪み型の格子整合形態部分はそれぞれ独立した電極によってそれぞれ所望の電圧が印加されるように構成されていることを特徴とする半導体レーザ型光増幅素子。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-233783
特表平6-505363
半導体光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042831 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

特開平4-233783
特表平6-505363
半導体光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042831 出願人：株式会社日立製作所

前のページに戻る