特許
J-GLOBAL ID：200903000801508265
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048514
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251473
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 低電界動作領域および高電界動作領域のいずれにおいても優れた電子輸送特性が期待できるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【構成】 アンドープInAlAs層32とアンドープInP層33とアンドープInGaAs層34とn型不純物を含むInAlAs層35がこの順で積層され、前記アンドープInGaAs層34および前記アンドープInP層33に蓄積した電子が電流路を形成する電界効果トランジスタであって、前記n型不純物を含むInAlAs層35上に配設されたゲート電極とを有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にアンドープInAlAs層とアンドープInP層とn型不純物を含むInAlAs層がこの順で積層され、前記アンドープInGaAs層および前記アンドープInP層に蓄積した電子が電流路を形成する電界効果トランジスタであって、前記n型不純物を含むInAlAs層上にゲート電極を配設してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
