特許
J-GLOBAL ID：200903000809453001
固体電解質酸素濃度センサの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-009535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-222040
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 新規な方法を用いて固体電解質酸素濃度センサを製造することができる固体電解質酸素濃度センサの製造方法を提供することにある。【構成】 シリコン基板1上に下部電極膜2と固体電解質薄膜3と上部電極膜4とを順に積層する。そして、下部電極膜2と固体電解質薄膜3と上部電極膜4とを貫通するピンホール5を形成する。さらに、上部電極膜4の上に犠牲膜を形成する。引き続き、犠牲膜を覆う空洞壁膜8を形成する。そして、シリコン基板1の裏面側からピンホール5に至るエッチングを行うとともに同ピンホール5を通して上部電極膜4の上部の犠牲膜をエッチング除去して空洞部12を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部電極膜と固体電解質薄膜と上部電極膜とを順に積層する第1工程と、前記下部電極膜と固体電解質薄膜と上部電極膜とを貫通するピンホールを形成する第2工程と、前記上部電極膜の上に犠牲膜を形成する第3工程と、前記犠牲膜を覆う空洞壁材を配置する第4工程と、前記半導体基板の裏面側から前記ピンホールに至るエッチングを行うとともに同ピンホールを通して前記上部電極膜の上部の犠牲膜をエッチング除去して空洞部を形成する第5工程とを備えたことを特徴とする固体電解質酸素濃度センサの製造方法。
FI (2件)：
G01N 27/46 325 J
, G01N 27/46 325 E
