特許
J-GLOBAL ID：200903000814428554
半導体拡散層抵抗
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254030
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095085
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】層間絶縁膜を薄くした場合に、層間絶縁膜をゲート絶縁膜とした寄生MOSトランジスタのしきい値電圧が低下し、抵抗-抵抗間にリーク電流が流れることを防ぐことができ、その結果層間絶縁膜を介して拡散抵抗形成領域上に自由に金属配線を通すことができ、回路設計の自由度を向上できる半導体拡散層抵抗を提供する。【構成】拡散層抵抗形成領域103に、抵抗拡散層106とは逆導電型で、抵抗拡散層106よりも不純物濃度が低く、かつ不純物深さが浅いチャネルストッパ層110を備えている。【効果】拡散抵抗形成領域上に層間絶縁膜を介して自由に金属配線を通すことができ、回路設計の自由度が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の絶縁分離領域あるいは絶縁分離用酸化膜で囲まれた第2導電型の半導体領域に所望の形状に第1導電型の不純物を拡散してなる半導体拡散層抵抗において、前記第2導電型の抵抗形成領域に、抵抗形成領域よりも高濃度の第2導電型不純物を導入したチャネルストッパ層を有することを特徴とする半導体拡散層抵抗。
引用特許：
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