特許
J-GLOBAL ID：200903000816106473
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136827
公開番号（公開出願番号）：特開平6-327144
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】誘電体分離層で素子分離を行う方式の半導体装置で、簡単な構成でサージ保護が十分確実に形成される保護素子を形成すること。【構成】図1は、誘電体絶縁層5による素子分離がなされた保護素子としてのnpnトランジスタ構造のツェナーダイオードを示す構造的な断面図で、ライン7にサージが乗り、n拡散層1に高電圧がかかると、エミッタ領域1とベース領域2で形成されたダイオードの拡散濃度等によって決まるツェナー電圧でこの保護機能が働き、高電圧を短絡導通する。この場合、高電圧はpn接合部に印加され、絶縁層である誘電体層5には印加されない。そのため半導体基板6が接地されていても絶縁層をはさんで寄生容量が形成されることがなく、即ち充電電流が流れず、絶縁層が破壊されることがない。従って内部へ高電圧が侵入せず、装置内部のサージ保護が保証される。
請求項（抜粋）：
誘電体分離構造を有する半導体装置において、該半導体装置の外部への端子と、機能素子の入力ラインまたは出力ラインとの中間で、前記半導体装置に集積された前記入力ラインまたは出力ラインと接地間に接続されたサージ保護素子を有し、前記サージ保護素子は一つの独立した誘電体分離構造内に存在し、前記サージ保護素子の接地側端子が、前記誘電体分離構造をなす誘電体層に接する活性層に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H02H 7/20
, H01L 21/76
, H01L 27/04
