特許
J-GLOBAL ID：200903000819181131
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358327
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162453
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】本発明は、ファイルメモリなどに用いられるNAND型フラッシュメモリにおいて、メモリ上の任意のアドレスにシステムブート用データを書き込むことができるようにすることを最も主要な特徴としている。【解決手段】たとえば、システムのブート用データを記憶するブート用データ記憶エリア11aの、そのスタートアドレスを、あらかじめ規定されるブート用データ格納アドレス記憶エリア11bに記憶する。パワーオンリセット回路26により電源の投入を検知したとき、制御回路22は、ブート用データ格納アドレス記憶エリア11bに記憶されているスタートアドレスにもとづいて、ブート用データ記憶エリア11aに記憶されているブート用データを自動的に読み出す構成となっている。
請求項（抜粋）：
ブート用データを記憶する第1の記憶エリアの、その記憶アドレスを記憶するための第2の記憶エリアを有する不揮発性メモリ素子群と、電源の投入を検知する検知回路と、この検知回路が電源の投入を検知したとき、前記第2の記憶エリアに記憶されている記憶アドレスが、前記不揮発性メモリ素子群より読み出されて転送されるレジスタと、電源投入時の初期化動作終了後に、前記レジスタに転送されている記憶アドレスに対応する、前記第1の記憶エリアに記憶されているブート用データを出力させるように制御する制御回路とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/16 340
, G11C 16/02
G06F 12/16 340 R
, G11C 17/00 601 U
, G11C 17/00 601 Z
5B018GA10
, 5B018NA06
, 5B018QA11
, 5B025AE00
