特許

J-GLOBAL ID：200903000821339990

磁気抵抗効果型薄膜ヘツド

発明者： 小川 弘志 ,  今岡 裕文
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151533
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 狭トラック化に適したシ-ルドタイプの磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供することにある。【構成】 基板上に略平行に配置した第1及び第2のシ-ルド11,17間にシ-ルドギャップ12,15を介してMR素子14を配置し、このMR素子に所定のトラック幅を形成するように第1及び第2の電極部11a,17aを設けた構成にして、シ-ルドと電極とを兼用するようにして、電極の厚みを薄くして実効トラックへの影響を少なくする。

請求項（抜粋）：

基板上に略平行に配置した軟磁性材から成る第1及び第2のシ-ルド間に絶縁層から成るシ-ルドギャップを介して磁気抵抗素子を配置し、この磁気抵抗素子に所定のトラック幅を形成するように第1及び第2の電極部を設け、バイアス印加手段によりバイアス磁界を印加する構成の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記シ-ルドギャップ側の第1及び第2のシ-ルドの一部を、前記磁気抵抗素子と接触させて前記第1及び第2の電極部としたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。