特許
J-GLOBAL ID：200903000824473051
気相成長方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228117
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097153
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 気相成長法でシリコンエピタキシャルウエーハを形成するに当たり、スループットが画期的に向上する方法およびそのための装置を提供する。【構成】 シリコン基板とシリコン源となるシリコン板とを狭い間隔で対向配置し、シリコン板をシリコン基板よりも約100°C高温に保持するとともに、反応系内にハロゲンガスを導入して不均等化反応を利用してエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
反応室内にシリコン基板とシリコン源となるシリコン板とを狭い間隔を介して対向配置し、該シリコン板を該シリコン基板より10〜120°C高温に保持するとともに、反応室内をハロゲンガス雰囲気とし、シリコン基板上にシリコン結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
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