特許
J-GLOBAL ID：200903000825354137
物体表面の欠陥の光学的検査法とその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155362
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036016
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 パターンに作成された半導体ウエハの検査を、比較的大きな速度で、かつ、高い分解能で、かつ、低い偽警報率で、ウエハの製造中または製造直後に行うことができ、それにより、パターンに作成された半導体ウエハの欠陥を生ずる工程を識別し、およびその訂正動作を直ちに取ることができる、方法と装置を提供する。【構成】 物体の表面の欠陥を検査するための方法と装置は2段階で実施される。すなわち、第1段階では、物体の全表面が検査され、そして欠陥を有する確率の高い位置を指示する情報が記憶され、そして、第2段階では、物体の表面の欠陥を有する確率の高い位置だけが高い分解能で検査され、それにより、欠陥が存在するかまたは存在しないかが判定される。第2段階検査は、比較的小さな直径の光ビームで物体の表面を比較的大きな速度で走査することによって実行され、したがって、第2段階検査は第2段階検査と同程度の高い分解能を有することができる。
請求項（抜粋）：
第1段階において物体の全表面を光学的に検査する段階および欠陥を有する疑いのある前記物体上の位置を指示する情報を電気的に出力する段階と、前記疑わしい位置を記憶装置の中に記憶する段階と、第2段階において前記疑わしい位置に欠陥が存在するかまたは存在しないかを判定するために前記物体の表面の前記疑わしい位置だけを高い分解能で光学的に検査する段階とを有し、前記第1段階検査を前記第2段階検査と同様な高い分解能で行うことができるように前記第1段階検査が比較的小さな直径の光ビームでかつ比較的大きな速度で物体の全表面を走査することによって実行されることを特徴とする、物体の表面上の欠陥の検査法。
IPC (5件)：
G06F 15/64 325
, G01N 21/00
, G01N 21/88
, G06F 15/62 405
, H01L 21/66
