特許

J-GLOBAL ID：200903000826131174

過電流保護素子およびその製造方法

発明者： 堀部 泰孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010318
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203707
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 過電流保護素子の小型、高信頼性化をはかる。【構成】 支持体1上にゾル・ゲル法を用いてPTC特性を有する酸化亜鉛薄膜層2を形成し、かかる面上に所望の抵抗値を得るような間隔をおいて電極層3、3を形成するか、あるいは前述の酸化亜鉛薄膜を上下の電極層で挟み込んだ構造を有する過電流保護素子を作製することにより小型化、高信頼性化を達成することができる。

請求項（抜粋）：

支持体上に酸化亜鉛薄膜層が形成され、該薄膜層上に所望の抵抗値が得られるような間隔で相対する電極層が設けられて素子が形成され、前記電極層は素子の両端部に設けられた取り出し用電極と接続されてなることを特徴とする過電流保護素子。